碳化硅尺寸测试

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1. 几何尺寸测量：长度，宽度，厚度，直径，半径，边长。

2. 形状与位置公差：平面度，平行度，垂直度，同心度，圆度，圆柱度。

3. 表面形貌特征：表面粗糙度，划痕深度与宽度，凹坑直径与深度，台阶高度。

4. 晶圆专项尺寸：总厚度变化，局部厚度变化，全局翘曲度，局部翘曲度，参考面长度与角度。

5. 微观结构尺寸：晶粒尺寸及分布，孔隙尺寸及分布，微裂纹长度。

6. 边缘轮廓检测：边缘倒角尺寸，边缘崩缺大小与数量，边缘轮廓形状。

7. 图形化结构尺寸：沟槽深度与宽度，台面高度与宽度，通孔直径与深度。

8. 薄膜涂层尺寸：薄膜厚度，涂层厚度均匀性。

9. 封装相关尺寸：芯片贴装区尺寸，焊盘尺寸与间距，引脚尺寸与共面性。

10. 三维形貌重建：表面三维形貌，体积计算，表面积计算。

检测范围

碳化硅晶锭、碳化硅晶圆、碳化硅外延片、碳化硅裸芯片、碳化硅功率器件模块、碳化硅陶瓷基板、碳化硅密封环、碳化硅研磨料、碳化硅反射镜坯体、碳化硅热交换器部件、碳化硅复合材料构件、碳化硅涂层试样

检测设备

1. 光学显微镜：用于低倍下的外观检查、宏观尺寸测量及缺陷定位；配备测微目镜或数字图像分析系统。

2. 激光扫描共聚焦显微镜：用于非接触式高精度三维表面形貌测量与粗糙度分析；具有亚微米级纵向分辨率。

3. 白光干涉仪：用于纳米级精度的表面轮廓、台阶高度、粗糙度及薄膜厚度测量；测量速度快，范围大。

4. 轮廓仪：用于测量表面二维轮廓形状、粗糙度、波纹度及各种几何参数；分为接触式与非接触式。

5. 三坐标测量机：用于复杂工件几何尺寸与形位公差的高精度检测；可进行三维空间点的精确采集与数据处理。

6. 扫描电子显微镜：用于微观和纳米级别的形貌观察与尺寸测量；尤其适用于微区结构、断面及晶粒尺寸分析。

7. 晶圆几何参数测试仪：专用于半导体晶圆的厚度、翘曲度、弯曲度、平整度等参数的快速全自动测量。

8. 图像尺寸测量仪：基于机器视觉技术，用于平面工件轮廓尺寸的快速批量自动化检测。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器资质